3D封裝是在二維封裝基礎上向空間發展的高密度封裝技術，該技術通過芯片堆疊或封裝堆疊的方式實現器件功能的增加，不僅能顯著提高封裝密度，還能有效降低封裝成本。在3D封裝制程中，Hybrid bonding混合鍵合技術中D2W或D2D工藝是其核心制程之一，該制程對前道切割段的精度要求、質量要求以及particle管控更為嚴苛。相較于傳統封裝晶圓切割制程中Laser Grooving + Blade Saw方案，Laser Grooving + Plasma Dicing的組合切割方案憑借其優異的切割質量及particle管控等獨特的優勢，在3D封裝領域日益受到重視與青睞，展現出了非凡的潛力，為3D封裝技術的進一步發展奠定了堅實的基礎。
· 設備交付現場 ·
大族半導體憑借在激光微加工領域的深厚積淀與卓越洞見，自2018年起便在國內率先進行Low-K開槽關鍵技術的研發并取得突破性成果。近期，我司隆重推出全新一代全自動晶圓激光開槽設備—GV-N3242系列。該設備在開槽質量、開槽精度、潔凈度管控以及材料兼容性方面的大幅躍升，已圓滿通過客戶嚴苛的技術驗證，并完全具備量產能力，贏得了客戶的一致好評與廣泛認可。
· 型號：GV-N3242 ·
用于先進封裝領域，在晶圓表層開槽，輔助Plasma etch切割制程。
? 超快激光器(紫皮/紫飛)+新型光路整形方案，進一步提升開槽品質；超高精度機械/氣浮平臺，進一步提升開槽精度;
? 升級視覺方案，配備超高倍鏡頭(>20x)以及紅外相機(選配)，提升視覺識別精度，實現晶圓背面開槽方案;
? 整機壓差、對流以及涂膠清洗腔體設計升級，可滿足百級潔凈度要求，可支持裸晶圓/Frame全自動天車上下料兼容模式。
大族半導體全自動晶圓激光開槽設備GV-N3242的成功推出，以高精度、高效率的特點，為半導體制造業提供了更為先進、可靠的解決方案，標志著我司在激光切割應用領域的深度探索與創新又前進了堅實的一步。展望未來，大族半導體將持續在激光切割應用領域深耕細作，為半導體制造業注入強勁動力，推動整個行業不斷向前邁進。
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